芯联LDO选型分享昂洋科技

编辑：昂洋运营部
时间：2022-08-15

芯联LDO——最基本的电源IC，是一种低压差线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。

芯联LDO——最基本的电源IC，是一种低压差线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。
正输出电压的芯联LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似
芯联LDO看似简单，在实际选型应用中还是有很多需要注意的地方，下面分几点概要述说下LDO选型需要注意的点：
1. 实际应用时输入电压-输出电压较大时需评估Power Dissipation, PD是否可以满足，而不只看芯片标称的输出电流能力。
2. 实际应用时输入电压-输出电压较小时需评估Dropout Voltage是否足够，需满足：输入电压输出电压>Dropout Voltag。
3. 使用输出可调型号时，FB电阻需放在靠芯片且上偏电阻取在电容之后，还需确认规格书对阻值是否有要求，一般阻值选取越小抗干扰越强，但取样电阻上损耗会加大，取大可能造成输出电压不稳定。
4. LDO输出端接有其它电压源时需考虑LDO内部MOS体内二极的存在，一般规格书未有标注，需选用防反灌型号。

5. 评估PD是否足够时，需注规格书标注的测试条件，一般应用时，如无法达到规格书测试条件，应以实物实测温度来评估。

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